محققان دانشگاه آزاد با بهره‌گیری از فناوری نانو رنگ پودری را برای ضدعفونی کردن تجهیزات بیمارستانی عرضه کردند که بر طیفی از باکتری‌ها موثر است و تا زمانی که از روی سطوح خراشیده نشده باشند، خاصیت آنتی باکتریال آن باقی خواهد ماند.

پیدا کردن راهی برای درمان بیماری ایدز یکی از موضوعات دنیای پزشکی به حساب می‌آید. رسیدن به این راه درمانی در گروی جواب به یک سوال ساده است: چگونه می‌توان فهمید بیمار به طور کامل درمان شده است؟ ویروس اچ‌آی‌وی در لایه‌های مختلف سلول‌های ایمنی بدن پنهان می‌شود و این ویژگی باعث شده که نتوان آن را به‌راحتی تشخیص داد؛ برای تشخیص ویروس باید از آزمایش‌های گران با صرف زمان بالا استفاده کرد.

دانشمندان دانشکده‌ی بهداشت عمومی دانشگاه پیتزبورگ آمریکا با انتشار مقاله‌ای نسل جدیدی از آزمایش‌های تشخیص اچ‌آی‌وی را معرفی کرده‌اند. آزمایش جدید ارزان‌تر، سریع‌تر با قابلیت بالای تشخیص ویروس‌های پنهان است. بنابر نتایج منتشر شده میزان ویروس HIV پنهان شده در افراد درمان شده ۷۰ برابر بیشتر از تخمین‌های قبلی به نظر می‌رسد.

دکتر پالگونی، رئیس بخش بیماری‌های واگیر و میکروبیولوژی دانشگاه پیتزبورگ بیان می‌کند:

تمام تلاش‌ها برای درمان بیماری ایدز روی از بین بردن ویروس‌های پنهان شده متمرکز شده‌اند. اگرچه ما به روش‌های مفیدی برای درمان رسیده‌ایم اما همچنان ویروس اچ‌آی‌وی سرسختی زیادی در مقابل درمان از خود نشان می‌دهد. موفقیت تلاش‌های صورت گرفته نیز در گرو توسعه‌ی یک روش موثر برای شناسایی ویروس‌های پنهان است تا از درمان بیمار اطمینان حاصل کنیم.

ویروس HIV با حمله به سلول‌های CD4+ T منجر به آلوده شدن این سلول‌های می‌شود. سلول‌های T نوعی گلبول سفید هستند که نقش مهمی را در کنترل عفونت‌ها بازی می‌کنند. درمان‌های ضد رتروويروسی ((Antiretroviral therapies) برای درمان بیماری ایدز سطح ویروس اچ‌آ‌ی‌وی در خون فرد را کنترل می‌کنند طوری که می‌توان یک ویروس در هر هزار سلول CD4+ T مشاهده کرد.

بر اساس آمار، ویروس‌های HIV که با دی‌ان‌ای سلول‌های تی ترکیب می‌شوند در اکثریت مواقع ناموفق هستند؛ به این معنا که در ایجاد عفونت شکست می‌خورند. نکته‌ی مهم با شروع درمان‌های رتروویروسی تشخیص ویروس‌های ترکیب شده با دی‌ان‌ای و نحوه‌ی تاثیرگذاری ‌‌آن‌ها است، بنابراین باید فهمید که این ویروس‌ها قابلیت تکثیر خود یا بازگشت به نقطه‌ی بحرانی و عود مجدد را دارا هستند یا خیر.

یک آزمایش اثربخش باید قابلیت تکثیر ویروس را گزارش کند. تا به امروز آزمایش Q-VOA یا Quantitative Viral Outgrowth Assayy به عنوان بهترین آزمایش موجود برای این کار شناخته می‌شود. اما این آزمایش مشکلات بسیاری هم با خود به همراه دارد: هزینه‌ی بالا، احتیاج به نمونه‌ی خونی در حجم بالا، نیاز به نیروی کار زیاد، وقت‌گیر بودن و در نهایت این آزمایش تخمینی حداقلی از اندازه‌ی مخزن ویروس پنهان شده‌ی HIV ارائه می‌دهد.

روش جدید توسعه داده شده TZA نام گرفته است. این روش با شناسایی ژن‌هایی که در زمان تکثیر ویروس فعال می‌شوند کار می‌کند، بنابراین شناسایی ویروس آسان‌تر خواهد شد. روش TZAA سریع‌تر، ارزان‌تر،  نیازمند نیروی کاری کم‌تر و همچنین نمونه‌ی خونی کم‌تری است. دکتر پالگونی اضافه می‌کند:

با استفاده از این آزمایش نشان دادیم که بیمار‌هایی که در فرآیند درمان رتروویروسی شرکت کرده‌ بودند و نشانه‌های بیماری را نشان نمی‌دادند تا ۷۰ برابر بیشتر از تخمین‌های قبلی حامل مخزن‌های ویروسی پنهان شده هستند. تخمین‌های قبلی بر اساس آزمایش Q-VOA به دست آمده‌اند. به دلیل روش متفاوت TZA در تشخیص ویروس‌های تکثیرشونده می‌توان به پیدا کردن راه‌های درمانی موثرتر امید داشت.

روش TZA مزیت‌های زیادی نسبت به روش‌های قبلی دارد که می‌تواند در تشخیص ویروس به خصوص در بین بیماران کودک کمک زیادی کند. همچنین می‌توان به شناسایی ویروس HIV در گره‌های لنفاوی و بافت‌های بدن که ویروس مقاومت بیشتری از خود نشان می‌دهد، اقدام کرد.

ساعاتی پیش شرکت اسپیس ایکس توانست موشک فالکون ۹ را بار دیگر با موفقیت به زمین بنشاند. این موشک در ساحل کیپ کارناوال فلوریدا و در منطقه فرود ۱ ، به زمین نشست.

در حال حاضر، در مجموع ۱۱ موشک فالکون ۹ توسط اسپیس ایکس پرتاب شده و در سطح زمین یا روی ایستگاه شناور آبی شرکت با موفقیت فرود آمده‌اند. با این فرود، روند فرودهای موفقیت‌آمیز موشک فالکون ۹ روی سطح زمین همچنان پابرجا است. تا به اینجا هر ۵ شرکت فعال در حوزه حمل و نقل فضایی توانسته‌اند با موفقیت موشک‌های خود را روی سطح زمین فرود بیاورند.

شاید این فرود در نگاه اول عادی به نظر برسد؛ اما محموله‌ای که موشک فالکون ۹ آن را حمل کرده است بسیار مهم بود یا درواقع وسیله‌ای که این محموله را در خود داشت منحصربه فرد بود. برای این ماموریت، اسپیس ایکس از کپسول دراگوناستفاده کرده است. این کپسول در سال ۲۰۱۴ برای چهارمین ماموریت تامین تجهیزات ناسا توسط اسپیس ایکس به پرواز درآمد و برای مدت ۱ ماه در ایستگاه بین المللی فضای حضور داشت و سپس به زمین بازگشت و در اقیانوس آرام سقوط  کرد. این اولین باری است که از دراگون در پرواز مجدد استفاده می‌شود و شرکت اسپیس ایکس به اولین شرکتی مبدل می‌شود که یک محموله‌بَر را برای دومین بار به مدار زمین ارسال می‌کند.

کپسول دراگون نزدیک به ۲۷۰۰ کیلوگرم آذوقه و ابزار آزمایش‌های علمی را برای سرنشینان ایستگاه بین‌المللی فضایی حمل می‌کند. این آزمایش‌ها شامل گروهی از کرم‌های میوه برای بررسی عملکرد سیستم گردش خون در شرایط بی‌وزنی و همچنین تعدادی موش آزمایشگاهی برای مطالعه روی کاهش جرم استخوانی در محیط فضایی است. تجهیزات منحصربه  فردی نیز در فضاپیمای دراگون استفاده شده است از جمله‌ی آن می‌توان به سازه خالی از فشار هوا اشاره کرد که به بدنه‌ی فضاپیما متصل است؛ سازه‌ای که پنل‌های خورشیدی در آن قرار دارند.

در درون فضاپیما ابزارهایی از جمله دستگاهی به نام NICER قرار دارد که در قسمت بیرونی ایستگاه بین‌المللی نصب می‌شود و برای شناسایی ستاره‌های نوترونی استفاده می‌شود، همچنین پنل خورشیدی اختصاصی که آن را ROSA‌می‌نامند که همانند یک پرچم گشوده می‌شود. فضاپیما دراگون قرار است روز دوشنبه به ایستگاه بین المللی فضایی برسد.

درنهایت، اسپیس ایکس امیدوار است که بتواند طرح استفاده‌ی مجدد از کپسول باری دارگون را به پیش ببرد. در این شرایط شرکت می‌تواند خط تولید انتقال‌دهنده‌های باری خود را متوقف کند و تمرکز خود را روی ساخت فضاپیمای جدید قرار دهد. این فضاپیما که نسخه ارتقاءیافته‌ی دراگون خواهد بود، با نام دراگون سرنشین‌دار یا دارگون ۲ شناخته می‌شود  و قادر است انسان‌ها را بین زمین و ایستگاه بین‌المللی فضایی جابجا کند. همچنین در آینده در این فضاپیما به جای استفاده از سیستم فعال‌سازی چترهای نجات در نزدیکی سطح زمین، از سیستم پیشرانه فرود استفاده خواهد شد. موتورهای جاسازی‌شده در بدنه‌ی دارگون، به این فضاپیما امکان کنترل سرعت کاهش ارتفاع را خواهند داد.

اسپیس ایکس برنامه دارد که علاوه‌بر مجموعه‌ی انتقال محموله‌ی دراگون، سایر محصولات خود را به‌صورت مجدد مورد استفاده قرار دهد. با انباشته‌شدن راکت‌های استفاده شده، این شرکت به تدریج در حال آماده‌سازی آن‌ها برای ارسال به فضا است. اسپیس‌ایکس از اولین موشک استفاده‌شده‌ی فالکون ۹ در ماه مارس رونمایی کرد و برنامه‌ریزی کرده است تا از موشک دوم استفاده شده در ۲ هفته آینده برای پرتاب ماهواره شرکت Bulsatcom استفاده کند. این موشک‌ها و  کپسول‌های دراگون باید پیش از پرواز، مورد بازرسی و بازسازی قرار گیرند که این امر نیازمند صرف زمان و منابع مالی است؛ اما اسپیس ایکس امیدوار است که با کاهش زمان این بازرسی و بازسازی‌ها به‌صورت بالقوه سرمایه‌ی مناسبی را از فرآیند تولید، ذخیره کند.

شرکت اسپیس ایکس مدعی است که می‌تواند تا پایان سال ۲۰۱۷ تمام ۶ موشک‌ فالکون ۹ استفاده شده را مجددا به پرواز در آورد که به‌نظر می‌رسد فرصت‌های فراوانی برای این شرکت وجود دارد تا این برنامه را عملی کند. اسپیس‌ایکس سرعت تعداد پرتاب‌های خود را افزایش داده است؛ چرا که تنها ۲ هفته از پرتاب قبلی این شرکت می‌گذرد و پرتاب بعدی آن نیز ۲ هفته دیگر خواهد بود. رئیس شرکت اسپیس ایکس، Gwynne Shotwell، این قول را داده است که امسال تعداد تکرار پرتاب‌های شرکت افزایش یابد و به‌نظر می‌رسد که این امر در حال انجام شدن است.

پرتاب امروز ۱۰۰ امین ماموریت ایستگاه پرتاب LC-39A ناسا بود؛ سایتی تاریخی که در آژانس فضایی کندی در مرکز فضایی فلوریدا قرار دارد. از این ایستگاه برای اولین پرتاب سرنشین دار به مقصد ماه و همچنین آخرین ماموریت شاتل نیز استفاده شده است.

شرکت اینتل به تازگی و برای اولین بار از زمان عرضه‌ی اولین حافظه‌های SSD مبتنی‌بر پروتکل انتقال داده‌ی NVMe، اقدام به ارتقاء و به‌روزرسانی خط تولید حافظه‌ی اس‌اس‌دی دارای رابط PCIee خود کرده است. حافظه‌های اس‌اس‌دی جدید DC P4500 و DC P4600 شرکت اینتل جایگزینی برای حافظه‌های اس‌اس‌دی سری P3500 ،P3600 و P3700 استفاده شده در سرورها و پایگاه‌های داده هستند. خط تولید جدید مربوط به درایوهای اس‌اس‌دی DC P4500 و DC P4600، با اضافه شدن کنترلر جدید اس‌اس‌دی و بهره‌گیری از حافظه‌ی فلش ناند سه بعدی برای همه‌ی مدل‌ها نوسازی شده است. همراه زومیت بمانید.

بسیاری از درایوهای اس‌اس‌دی مبتنی‌بر رابط PCIe استفاده شده در دیتاسنتر اینتل، هنوز از حافظه‌ی فلش ناند سلول سطح چند گانه‌ی ۲۰ نانومتری بهره می‌برند. با این حال، حافظه‌های اس‌اس‌دی P3500 با حافظه‌ی P3520 که از فلش ناند سلول سطح چند گانه‌ی سه بعدی اینتل بهره می‌برد، جایگزین شده است. شرکت اینتل در نسل P4x00 جدید خود به استفاده از حافظه‌ی فلش ناند سلول سطح ۳ گانه‌ی سه بعدی ۳۲ لایه‌ی اختصاصی خود روی آورده است. حافظه‌ی فلش ناند سلول سطح ۳ گانه‌ی جدید با ظرفیت ۳۸۴ گیگابیتی به ازای هر Die که معادل ۴۸ گیگابایت می‌شود، در مقایسه با ظرفیت ۱۲۸ گیگابیتی سلول سطح چندگانه‌ی ۲۰ نانومتری، پیشرفت شگرفی محسوب شده و جای تعجب نخواهد بود که در مراحل اولیه‌ی عرضه، شاهد حافظه‌های اس‌اس‌دی با ظرفیت ذخیره‌سازی ۱، ۴ و حتی ۸ ترابایتی تا پایان سال میلادی جاری باشیم. ظرفیت حافظه‌های اس‌اس‌دی نسل P3x00 بین ۴۰۰ گیگابایت تا ۲ ترابایت محدود شده بودند.

در چند سال گذشته و از زمانی که حافظه‌ی فلش ناند سلول سطح تک‌گانه (SLC) از بازار رقابت خارج شد، در درایوهای اس‌اس‌دی تجاری، بیش‌تر از حافظه‌ی ناند سلول سطح چند گانه (MLC) استفاده می‌شد؛ اما شرکت اینتل در اقدامی بی‌سابقه تصمیم به استفاده از فناوری سلول سطح سه گانه‌ی ۳ بعدی در همه‌ی درایوهای اس‌اس‌دی سازمانی مبتنی‌بر رابط PCIe گرفت. استفاده از چنین حافظه‌ی فلشی کاملا هم بی‌سابقه نیست؛ به طوری که چند ماه گذشته شرکت میکرون اقدام به معرفی نسل جدیدی از حافظه‌های اس‌اس‌دی مبتنی‌بر رابط SATA سازمانی کرده بود که از فلش ناند سلول سطح سه گانه‌ی ۳ بعدی بهره می‌برد. مدل‌های با توان عملیاتی بالای حافظه‌ی اس‌اس‌دی شرکت میکرون قادر به ارائه‌ی توان عملیاتی نوشتن ۵ درایو در روز هستند. نوشتن درایو در روز، واحد پایداری نوشتاری یا توان عملیاتی نوشتاری یک درایو اس‌اس‌دی بوده و با DWPD مشخص می‌شود. شرکت سامسونگ هم در حافظه‌ی اس‌اس‌دی پرچم‌دار سازمانی PM1725a مبتنی‌بر پروتکل NVMe خود از فلش ناند سلول سطح سه گانه‌ی ۳ بعدی استفاده کرده است. با توجه به این‌که حافظه‌ی اس‌اس‌دی آپتین DC P4800X شرکت اینتل در حال حاضر بخشی از بازار حافظه‌های عملکرد بالا را با بهره‌گیری از حافظه‌ی 3D XPoint به جای استفاده از حافظه‌ی قدیمی فلش پوشش می‌دهد، بنابراین استفاده از فناوری سلول سطح سه گانه‌ای که ظرفیت ذخیره‌سازی بالا و استقامت (توان عملیاتی) نوشتاری را ممکن می‌سازد، انتخابی معقول برای اینتل خواهد بود.

حافظه‌ی فلش استفاده شده در نسل قبلی درایوهای حالت جامد مبتنی‌بر رابط PCIe دیتاسنترها، تنها قطعه‌ی منسوخ شده نبود. به جز حافظه‌های درگاه دوگانه‌ی DC D3700 ،D3600 و حافظه‌ی فوق‌العاده سطح پایین DC P3100، خط تولید اینتل هنوز بر پایه‌ی اولین کنترلر مبتنی‌بر پروتکل NVMe بود که در حافظه‌ی P3700 به کار گرفته شده بود. کنترلر یاد شده فقط توان پاسخ‌گویی به ظرفیت ۲ ترابایتی را داشت که در بازار امروز کافی نیست. شرکت اینتل هیچ سخنی درباره‌ی حداکثر ظرفیت درایو قابل پشتیبانی به وسیله‌ی کنترلر جدید به میان نیاورده است. با این حال مطابق با اشاره‌ی سخن‌گوی اینتل، ساخت درایو ۱۶ ترابایتی مبتنی‌بر کانکتور U.2 با استفاده از ناند سه بعدی فعلی یا حتی ظرفیت‌های بیش‌تر با بهره‌گیری از سلول سطح سه گانه‌ی ۳ بعدی ۶۴ لایه‌ی ۵۱۲ گیگابیتی آینده، ممکن خواهد بود.

کنترلر جدید فقط ۱۲ کانال برای اتصال به حافظه‌ی فلش فراهم می‌کند که در واقع کم‌تر از ۱۸ کانال ارائه شده به وسیله‌ی نسل قبلی است. با این حال این تعداد، بسیار بیش‌تر از تعداد کانال کنترلرهای مبتنی‌بر پروتکل NVMe است. به طور بالقوه، کمبود تعداد کانال یاد شده نسبت به نسل قبلی با پشتیبانی هر کانال از رابط جدید ONFI 4.0 سریع‌تر، جبران می‌شود. به طوری که سرعت خواندن ترتیبی در حافظه‌های اس‌اس‌دی جدید حداکثر به ۳۲۹۰ مگابایت بر ثانیه می‌رسد؛ در حالی که همین سرعت در حافظه‌ی DC P3700 اینتل حداکثر برابر ۲۸۰۰ مگابایت بر ثانیه است.

از زمان عرضه‌ی حافظه‌ی اس‌اس‌دی DC P3700 اینتل، مشخصات پروتکل NVMe به طور ویژه‌ای توسعه یافته و کنترلر جدید استفاده شده در حافظه‌های P4500 و P4600، ویژگی‌های اختیاری کاملا جدیدی از استاندارد NVMe اضافه می‌کند. قابلیت‌های اولیه‌ی پروتکل NVMe هم از طریق توسعه‌ی محدوده‌ی وسیعی از فرمان‌های NVMe، بدون دخالت فرم‌ور (سفت‌افزار) یا دخالت کم‌تر آن به صورت سخت‌افزاری شتاب گرفته‌اند. علاوه‌بر مورد یاد شده، پشتیبانی از ۳۲ تا ۱۲۸ صف با حداکثر ۴ هزار فرمان به ازای هر صف باعث توسعه‌ی پروتکل NVMe شده است. بالا بودن مقدار صف به درگیری کم‌تر در سیستم مجهز به پردازنده‌ی مرکزی با تعداد هسته‌ی زیاد کمک می‌کند. در حقیقت، بالا بودن تعداد صف (queue) یک استاندارد تفکیک برای درایور NVMe است که به ازای هر هسته‌ی پردازنده، یک صف اختصاص می‌دهد.

بزرگ‌ترین ویژگی جدید مربوط به حافظه‌های اس‌اس‌دی DC P4500 و DC P4600، پشتیبانی کامل از استاندارد رابط مدیریت NVMe برای مدیریت خارج از باند مبتنی‌بر PCIe یا SMBus است. منظور از مدیریت خارج از باند، استفاده از کانال اختصاصی برای مدیریت دستگاه متصل است. پشتیبانی از استاندارد رابط مدیریت NVMe به سرورهای مجهز به رابط مدیریت پلتفرم هوشمند (IPMI) مورد استفاده برای زیر نظر گرفتن و پایش پردازنده، سفت‌افزار و سیستم عامل اجازه می‌دهد تا صرف نظر از سیستم عامل در حال اجرا روی سرور، دسترسی کاملی به داده‌های SMART درایو و به‌روزرسانی سفت‌افزار از طریق کنترلر مدیریت برد پایه (BMC) داشته باشد. در حقیقت، BMC هوش و آگاهی را برای معماری IPMI فراهم می‌کند. همچنین، حافظه‌های اس‌اس‌دی جدید از فضاهای اسمی NVMe چندگانه (حداکثر تا ۱۲۸ کاراکتر) پشتیبانی می‌کنند. در واقع، فضای اسمی چندگانه یک نقشه‌ی پارتیشن بندی مدیریت شده به وسیله‌ی درایوی است که اصولا برای سناریوهای مجازی‌سازی مفید است. تمامی حافظه‌های اس‌اس‌دی مبتنی‌بر پروتکل NVMe قبلی اینتل از گلوگاه حرارتی پشتیبانی می‌کنند؛ اما این قابلیت هم‌اکنون بروز پیدا کرده و به واسطه‌ی سازوکار وضعیت انرژی NVMe استاندارد، قابل پیکربندی است. مورد یاد شده اجازه می‌دهد که درایو وضعیت‌های انرژی بی‌شماری را در هر دو حالت عملیاتی و آماده به کار، حداکثر مصرف انرژی درایو در هر وضعیت و زمان تاخیر جابه‌جایی در حالت آماده به کار و خارج از آن حالت، اعلام کند.

حافظه‌های اس‌اس‌دی DC P4500 و DC P4600 از درگاه‌های سفت‌افزار چندگانه و به‌روزرسانی سفت‌افزار بدون نیاز به یک بازنشانی باس PCIe پشتیبانی می‌کنند. قابلیت‌های یاد شده موجب سریع‌تر و ایمن‌تر شدن فرآيند به‌روزرسانی سفت‌افزار شده و در را به روی جابه‌جایی بین سفت‌افزارهای تنظیم شده و بهبود یافته برای انجام کارهای مختلف باز می‌کند. به علاوه، کنترلر جدید به کار رفته در حافظه‌ی اس‌اس‌دی، پشتیبانی از رمزگذاری را هم فراهم می‌کند. شرکت اینتل متعهد شده که با انتشار به‌روزرسانی سفت‌افزار در آینده‌ای نزدیک، پشتیبانی از قابلیت رمزگذاری TCG OPAL را هم به درایو اس‌اس‌دی اضافه کند.

با نگاهی به مشخصات عملکرد دو حافظه‌ی اس‌اس‌دی جدید می‌توان پی برد که حافظه‌ی DC P4500 برای بار کاری سنگین خواندن داده طراحی شده؛ اما مدل سطح بالا (DC P4600) برای رسیدن به بهترین عملکرد و پایداری نوشتاری در بار کاری مفرط نوشتن داده طراحی شده است. اساسا سرعت عملکرد خواندن ترتیبی و تصادفی در هردو درایو یاد شده نسبت به نسل قبلی بهبود یافته است؛ اما درایو DC P4500 با امتیاز کم‌تری نسبت به قبل بهتر است. درایو اس‌اس‌دی DC P4600 دارای سرعت نوشتن ترتیبی نسبتا بهتر و سرعت نوشتن تصادفی فوق‌العاده بهتری از DC P4500 یا حافظه‌ی اس‌اس‌دی نسل قبلی DC P3700 است. اوج مصرف انرژی درایوهای جدید اندکی کم‌تر از مصرف برق ۲۵ واتی مورد نیاز برای نوشتن داده در درایو اس‌اس‌دی نسل قبل است. در مقام مقایسه و با در نظر گرفتن ظرفیت حافظه‌ی ذخیره‌سازی یکسان، حافظه‌ی نسل جدید P4x00 باید بهره‌وری انرژی چشم‌گیری داشته باشد.

پایداری نوشتاری DC P4500 با نرخ ۰.۷ نوشتن درایو در روز (DWPD)، بهبود قابل ملاحظه‌ای نسبت به پایداری نوشتاری ۰.۳ درایو در روز مربوط به P3500 محسوب شده و برابر با پایداری نوشتاری حافظه‌ی اس‌اس‌دی P3520 مبتنی‌بر سلول سطح چندگانه‌ی سه بعدی است. حافظه‌ی اس‌اس‌دی DC P4600 از نظر عملکرد برتر از هردو حافظه‌ی اس‌اس‌دی P3600 و P3700 است. اما پایداری نوشتاری P3600 برابر با نوشتن ۳ درایو در روز و پایداری نوشتاری P3700 به نوشتن ۱۷ درایو در روز می‌رسد. شرکت اینتل برای مواقعی که نیاز به پایداری نوشتاری مفرط است، حافظه‌ی اس‌اس‌دی آپتین DC P4800X را با پایداری نوشتاری ۳۰ درایو در روز پیشنهاد می‌کند.

شرکت اینتل هنوز قیمتی برای درایوهای اس‌اس‌دی جدید ویژه‌ی سرور خود اعلام نکرده است. به طور قطع، حافظه‌های DC P4500 و DC P4600 اینتل باید به خاطر بهره‌مندی از کنترلر کوچک‌تر و فناوری سلول سطح سه‌گانه‌ی ۳ بعدی به جای استفاده از سلول سطح چندگانه‌ی ۲۰ نانومتری، ارزش به مراتب بیش‌تری نسبت به نسل اول حافظه‌های اس‌اس‌دی مبتنی‌بر پروتکل NVMe داشته باشند.

حافظه‌ی اس‌اس‌دی DC P4500 و DC P4600 اینتل را چگونه ارزیابی می‌کنید؟

شرکت اینتل به تازگی و برای اولین بار از زمان عرضه‌ی اولین حافظه‌های SSD مبتنی‌بر پروتکل انتقال داده‌ی NVMe، اقدام به ارتقاء و به‌روزرسانی خط تولید حافظه‌ی اس‌اس‌دی دارای رابط PCIee خود کرده است. حافظه‌های اس‌اس‌دی جدید DC P4500 و DC P4600 شرکت اینتل جایگزینی برای حافظه‌های اس‌اس‌دی سری P3500 ،P3600 و P3700 استفاده شده در سرورها و پایگاه‌های داده هستند. خط تولید جدید مربوط به درایوهای اس‌اس‌دی DC P4500 و DC P4600، با اضافه شدن کنترلر جدید اس‌اس‌دی و بهره‌گیری از حافظه‌ی فلش ناند سه بعدی برای همه‌ی مدل‌ها نوسازی شده است. همراه زومیت بمانید.

بسیاری از درایوهای اس‌اس‌دی مبتنی‌بر رابط PCIe استفاده شده در دیتاسنتر اینتل، هنوز از حافظه‌ی فلش ناند سلول سطح چند گانه‌ی ۲۰ نانومتری بهره می‌برند. با این حال، حافظه‌های اس‌اس‌دی P3500 با حافظه‌ی P3520 که از فلش ناند سلول سطح چند گانه‌ی سه بعدی اینتل بهره می‌برد، جایگزین شده است. شرکت اینتل در نسل P4x00 جدید خود به استفاده از حافظه‌ی فلش ناند سلول سطح ۳ گانه‌ی سه بعدی ۳۲ لایه‌ی اختصاصی خود روی آورده است. حافظه‌ی فلش ناند سلول سطح ۳ گانه‌ی جدید با ظرفیت ۳۸۴ گیگابیتی به ازای هر Die که معادل ۴۸ گیگابایت می‌شود، در مقایسه با ظرفیت ۱۲۸ گیگابیتی سلول سطح چندگانه‌ی ۲۰ نانومتری، پیشرفت شگرفی محسوب شده و جای تعجب نخواهد بود که در مراحل اولیه‌ی عرضه، شاهد حافظه‌های اس‌اس‌دی با ظرفیت ذخیره‌سازی ۱، ۴ و حتی ۸ ترابایتی تا پایان سال میلادی جاری باشیم. ظرفیت حافظه‌های اس‌اس‌دی نسل P3x00 بین ۴۰۰ گیگابایت تا ۲ ترابایت محدود شده بودند.

در چند سال گذشته و از زمانی که حافظه‌ی فلش ناند سلول سطح تک‌گانه (SLC) از بازار رقابت خارج شد، در درایوهای اس‌اس‌دی تجاری، بیش‌تر از حافظه‌ی ناند سلول سطح چند گانه (MLC) استفاده می‌شد؛ اما شرکت اینتل در اقدامی بی‌سابقه تصمیم به استفاده از فناوری سلول سطح سه گانه‌ی ۳ بعدی در همه‌ی درایوهای اس‌اس‌دی سازمانی مبتنی‌بر رابط PCIe گرفت. استفاده از چنین حافظه‌ی فلشی کاملا هم بی‌سابقه نیست؛ به طوری که چند ماه گذشته شرکت میکرون اقدام به معرفی نسل جدیدی از حافظه‌های اس‌اس‌دی مبتنی‌بر رابط SATA سازمانی کرده بود که از فلش ناند سلول سطح سه گانه‌ی ۳ بعدی بهره می‌برد. مدل‌های با توان عملیاتی بالای حافظه‌ی اس‌اس‌دی شرکت میکرون قادر به ارائه‌ی توان عملیاتی نوشتن ۵ درایو در روز هستند. نوشتن درایو در روز، واحد پایداری نوشتاری یا توان عملیاتی نوشتاری یک درایو اس‌اس‌دی بوده و با DWPD مشخص می‌شود. شرکت سامسونگ هم در حافظه‌ی اس‌اس‌دی پرچم‌دار سازمانی PM1725a مبتنی‌بر پروتکل NVMe خود از فلش ناند سلول سطح سه گانه‌ی ۳ بعدی استفاده کرده است. با توجه به این‌که حافظه‌ی اس‌اس‌دی آپتین DC P4800X شرکت اینتل در حال حاضر بخشی از بازار حافظه‌های عملکرد بالا را با بهره‌گیری از حافظه‌ی 3D XPoint به جای استفاده از حافظه‌ی قدیمی فلش پوشش می‌دهد، بنابراین استفاده از فناوری سلول سطح سه گانه‌ای که ظرفیت ذخیره‌سازی بالا و استقامت (توان عملیاتی) نوشتاری را ممکن می‌سازد، انتخابی معقول برای اینتل خواهد بود.

حافظه‌ی فلش استفاده شده در نسل قبلی درایوهای حالت جامد مبتنی‌بر رابط PCIe دیتاسنترها، تنها قطعه‌ی منسوخ شده نبود. به جز حافظه‌های درگاه دوگانه‌ی DC D3700 ،D3600 و حافظه‌ی فوق‌العاده سطح پایین DC P3100، خط تولید اینتل هنوز بر پایه‌ی اولین کنترلر مبتنی‌بر پروتکل NVMe بود که در حافظه‌ی P3700 به کار گرفته شده بود. کنترلر یاد شده فقط توان پاسخ‌گویی به ظرفیت ۲ ترابایتی را داشت که در بازار امروز کافی نیست. شرکت اینتل هیچ سخنی درباره‌ی حداکثر ظرفیت درایو قابل پشتیبانی به وسیله‌ی کنترلر جدید به میان نیاورده است. با این حال مطابق با اشاره‌ی سخن‌گوی اینتل، ساخت درایو ۱۶ ترابایتی مبتنی‌بر کانکتور U.2 با استفاده از ناند سه بعدی فعلی یا حتی ظرفیت‌های بیش‌تر با بهره‌گیری از سلول سطح سه گانه‌ی ۳ بعدی ۶۴ لایه‌ی ۵۱۲ گیگابیتی آینده، ممکن خواهد بود.

کنترلر جدید فقط ۱۲ کانال برای اتصال به حافظه‌ی فلش فراهم می‌کند که در واقع کم‌تر از ۱۸ کانال ارائه شده به وسیله‌ی نسل قبلی است. با این حال این تعداد، بسیار بیش‌تر از تعداد کانال کنترلرهای مبتنی‌بر پروتکل NVMe است. به طور بالقوه، کمبود تعداد کانال یاد شده نسبت به نسل قبلی با پشتیبانی هر کانال از رابط جدید ONFI 4.0 سریع‌تر، جبران می‌شود. به طوری که سرعت خواندن ترتیبی در حافظه‌های اس‌اس‌دی جدید حداکثر به ۳۲۹۰ مگابایت بر ثانیه می‌رسد؛ در حالی که همین سرعت در حافظه‌ی DC P3700 اینتل حداکثر برابر ۲۸۰۰ مگابایت بر ثانیه است.

از زمان عرضه‌ی حافظه‌ی اس‌اس‌دی DC P3700 اینتل، مشخصات پروتکل NVMe به طور ویژه‌ای توسعه یافته و کنترلر جدید استفاده شده در حافظه‌های P4500 و P4600، ویژگی‌های اختیاری کاملا جدیدی از استاندارد NVMe اضافه می‌کند. قابلیت‌های اولیه‌ی پروتکل NVMe هم از طریق توسعه‌ی محدوده‌ی وسیعی از فرمان‌های NVMe، بدون دخالت فرم‌ور (سفت‌افزار) یا دخالت کم‌تر آن به صورت سخت‌افزاری شتاب گرفته‌اند. علاوه‌بر مورد یاد شده، پشتیبانی از ۳۲ تا ۱۲۸ صف با حداکثر ۴ هزار فرمان به ازای هر صف باعث توسعه‌ی پروتکل NVMe شده است. بالا بودن مقدار صف به درگیری کم‌تر در سیستم مجهز به پردازنده‌ی مرکزی با تعداد هسته‌ی زیاد کمک می‌کند. در حقیقت، بالا بودن تعداد صف (queue) یک استاندارد تفکیک برای درایور NVMe است که به ازای هر هسته‌ی پردازنده، یک صف اختصاص می‌دهد.

بزرگ‌ترین ویژگی جدید مربوط به حافظه‌های اس‌اس‌دی DC P4500 و DC P4600، پشتیبانی کامل از استاندارد رابط مدیریت NVMe برای مدیریت خارج از باند مبتنی‌بر PCIe یا SMBus است. منظور از مدیریت خارج از باند، استفاده از کانال اختصاصی برای مدیریت دستگاه متصل است. پشتیبانی از استاندارد رابط مدیریت NVMe به سرورهای مجهز به رابط مدیریت پلتفرم هوشمند (IPMI) مورد استفاده برای زیر نظر گرفتن و پایش پردازنده، سفت‌افزار و سیستم عامل اجازه می‌دهد تا صرف نظر از سیستم عامل در حال اجرا روی سرور، دسترسی کاملی به داده‌های SMART درایو و به‌روزرسانی سفت‌افزار از طریق کنترلر مدیریت برد پایه (BMC) داشته باشد. در حقیقت، BMC هوش و آگاهی را برای معماری IPMI فراهم می‌کند. همچنین، حافظه‌های اس‌اس‌دی جدید از فضاهای اسمی NVMe چندگانه (حداکثر تا ۱۲۸ کاراکتر) پشتیبانی می‌کنند. در واقع، فضای اسمی چندگانه یک نقشه‌ی پارتیشن بندی مدیریت شده به وسیله‌ی درایوی است که اصولا برای سناریوهای مجازی‌سازی مفید است. تمامی حافظه‌های اس‌اس‌دی مبتنی‌بر پروتکل NVMe قبلی اینتل از گلوگاه حرارتی پشتیبانی می‌کنند؛ اما این قابلیت هم‌اکنون بروز پیدا کرده و به واسطه‌ی سازوکار وضعیت انرژی NVMe استاندارد، قابل پیکربندی است. مورد یاد شده اجازه می‌دهد که درایو وضعیت‌های انرژی بی‌شماری را در هر دو حالت عملیاتی و آماده به کار، حداکثر مصرف انرژی درایو در هر وضعیت و زمان تاخیر جابه‌جایی در حالت آماده به کار و خارج از آن حالت، اعلام کند.

حافظه‌های اس‌اس‌دی DC P4500 و DC P4600 از درگاه‌های سفت‌افزار چندگانه و به‌روزرسانی سفت‌افزار بدون نیاز به یک بازنشانی باس PCIe پشتیبانی می‌کنند. قابلیت‌های یاد شده موجب سریع‌تر و ایمن‌تر شدن فرآيند به‌روزرسانی سفت‌افزار شده و در را به روی جابه‌جایی بین سفت‌افزارهای تنظیم شده و بهبود یافته برای انجام کارهای مختلف باز می‌کند. به علاوه، کنترلر جدید به کار رفته در حافظه‌ی اس‌اس‌دی، پشتیبانی از رمزگذاری را هم فراهم می‌کند. شرکت اینتل متعهد شده که با انتشار به‌روزرسانی سفت‌افزار در آینده‌ای نزدیک، پشتیبانی از قابلیت رمزگذاری TCG OPAL را هم به درایو اس‌اس‌دی اضافه کند.

با نگاهی به مشخصات عملکرد دو حافظه‌ی اس‌اس‌دی جدید می‌توان پی برد که حافظه‌ی DC P4500 برای بار کاری سنگین خواندن داده طراحی شده؛ اما مدل سطح بالا (DC P4600) برای رسیدن به بهترین عملکرد و پایداری نوشتاری در بار کاری مفرط نوشتن داده طراحی شده است. اساسا سرعت عملکرد خواندن ترتیبی و تصادفی در هردو درایو یاد شده نسبت به نسل قبلی بهبود یافته است؛ اما درایو DC P4500 با امتیاز کم‌تری نسبت به قبل بهتر است. درایو اس‌اس‌دی DC P4600 دارای سرعت نوشتن ترتیبی نسبتا بهتر و سرعت نوشتن تصادفی فوق‌العاده بهتری از DC P4500 یا حافظه‌ی اس‌اس‌دی نسل قبلی DC P3700 است. اوج مصرف انرژی درایوهای جدید اندکی کم‌تر از مصرف برق ۲۵ واتی مورد نیاز برای نوشتن داده در درایو اس‌اس‌دی نسل قبل است. در مقام مقایسه و با در نظر گرفتن ظرفیت حافظه‌ی ذخیره‌سازی یکسان، حافظه‌ی نسل جدید P4x00 باید بهره‌وری انرژی چشم‌گیری داشته باشد.

پایداری نوشتاری DC P4500 با نرخ ۰.۷ نوشتن درایو در روز (DWPD)، بهبود قابل ملاحظه‌ای نسبت به پایداری نوشتاری ۰.۳ درایو در روز مربوط به P3500 محسوب شده و برابر با پایداری نوشتاری حافظه‌ی اس‌اس‌دی P3520 مبتنی‌بر سلول سطح چندگانه‌ی سه بعدی است. حافظه‌ی اس‌اس‌دی DC P4600 از نظر عملکرد برتر از هردو حافظه‌ی اس‌اس‌دی P3600 و P3700 است. اما پایداری نوشتاری P3600 برابر با نوشتن ۳ درایو در روز و پایداری نوشتاری P3700 به نوشتن ۱۷ درایو در روز می‌رسد. شرکت اینتل برای مواقعی که نیاز به پایداری نوشتاری مفرط است، حافظه‌ی اس‌اس‌دی آپتین DC P4800X را با پایداری نوشتاری ۳۰ درایو در روز پیشنهاد می‌کند.

شرکت اینتل هنوز قیمتی برای درایوهای اس‌اس‌دی جدید ویژه‌ی سرور خود اعلام نکرده است. به طور قطع، حافظه‌های DC P4500 و DC P4600 اینتل باید به خاطر بهره‌مندی از کنترلر کوچک‌تر و فناوری سلول سطح سه‌گانه‌ی ۳ بعدی به جای استفاده از سلول سطح چندگانه‌ی ۲۰ نانومتری، ارزش به مراتب بیش‌تری نسبت به نسل اول حافظه‌های اس‌اس‌دی مبتنی‌بر پروتکل NVMe داشته باشند.

حافظه‌ی اس‌اس‌دی DC P4500 و DC P4600 اینتل را چگونه ارزیابی می‌کنید؟

 امام خمینی نامی که جادودانه شد، بر قلب ها حک شد و با کوچش به سرزمین باقی اشک های جانسوز را بر چشمان مریدانش روان کرد.

14 خرداد بیست و هشتمین سالگرد عروج ملکوتی امام خمینی (ره) است که با نزدیک شدن به آن یاد و خاطره سال ها تلاش و مبارزات امام در ذهن ها پر رنگتر می شود و گاهی حتی کودکانی که امام را نمی شناختند برایشان سوال می شود که امام خمینی کیست که مردم اینگونه آماده می شوند برای سالگرد وفات ایشان ، سوالی که حتی برای برخی از ما نیز شاید پیش آید که چرا بعد از گذشت این همه سال امام برای کسی کم رنگ نشد و این نه فقط در ایران بلکه در بسیاری از کشورهای دنیا نیز همچنان به چشم دیده می شود که نامش با احترام خوانده می شود، نامی که موجب ترس بسیاری از منافقان می شود، نامی که با آن ایران شناخته می شود و نامی که برای کشورش همواره مایه عزت و آبرو بوده است.

مروری بر زندگی امام خمینی از تولد تا مبارزات ایشان

امام خمینی در روز 20 سال 1320 هجری قمری مطابق با 30 شهریور 1281 در شهر خمین از توابع استان مرکزی چشم به جهان گشود .

شهرستان خمین ، شهرستانی که هیچ گاه مردمانش شاید فکر نمی کردند مردی چنان بزرگ و آسمانی را بر خود ببیند.

سید روح الله مصطفوی مشهور به روح الله موسوی خمینی در خانوده ای مذهبی به دنیا آمد که سابقه ای دیرینه در فعالیت های دینی داشتند، سید مصطفی پدرشان روحانی و از ساکنان خمین بود و در ازدواج با هاجر صاحب دو فرزند دختر و سه فرزند پسر شدند ،طاغوتيان و خـوانيـن تحت حمايت عمال حكومت وقت نداى حق طلبـى پـدر را كه در برابر زورگـوئيهايشان به مقاومت بـر خاسته بـود، با گلـوله پاسخ گفتنـد و در مسير خميـن به اراك وى را به شهادت رسانـدنـد.

روح اله خمینی پس از تحصیلات مقدماتی خود در خمین به سال 1299 در اراک به ادامه تحصیلات خود پرداخت و بعد از آن راهی قم شد.

ارتباط روح اله خمینی با میرزا محمد ثقفی تهرانی سبب آشنایی با وی شد و این ارتباط منجربه ازدواج با دختر میرزا محمد به نام خدیجه شد، ازدواجی که برخلاف ازدواج های شایع آن زمان به چند همسری تبدیل نشد و ایشان همسری مهربان برای خدیجه می شود .

ثمره این ازدواج دو پسر به نام های مصطفی و احمد و سه دختر به نام های فریده، زهرا، صدیقه می شود.

از نخستین اعتراضات تا بزرگترین مبارزات دوران زندگی امام خمینی

روحیه مبارزه جو و جهادگر روح اله در سال های متفاوت زندگی ایشان در بطن وجودشان ریشه دوانده چنان که این مهم در برهه های مختلف خود موجبات جریان سازی را فراهم کند و متفاوت با عامه مردم به مسائل روز بنگرد.

این بینش و اعتقاد ایشان و روحیه جهادگر موجب شد تا از آغاز نوجوانی به فکر حق طلبی و جامعه عمل پوشاندن به افکار خود در زمینه مبارزات سیاسی شود.

فصل نوین مبارزات امام خمینی از سال 40 و 41 شروع شد که مربوط به ماجرای انجمن های ایالتی و ولایتی بود و موجب شد تا قیامی سراسری روحانیت و ملت ایران در15 خرداد رقم بخورد.

در ماجرای انجمن های ایالتی و ولایتی امام خمینی به همراه علمای بزرگ قم و تهران دست به اعتراضات همه جانبه زدند.

این اولین تجربه پیروزی امام خمینی و شروع شکست های رژیم پهلوی بود که روشنگری های ایشان موجب آگاه سازی و روشنگری مردم شد و با هشدارهای تند خود به رژیم پهلوی فهماند که مبارزه جدی است .

اما دومین قدم روح اله خمینی در مبارزه خود علیه رژیم پهلوی " انقلاب سیاه تعبیر کردن انقلاب سفید شاه " بود .

اعلام آمادگی شاه برای انجام اصلاحات آمریکا به مقامات واشنگتن با اعتراضات گسترده امام روبرو شد که در سال 42 با سخنرانی خود شدیدا از سکوت علمای قم و نجف و دیگر ممالک اسلامی در مقابل جنایات تازه رژیم انتقاد کرد و با جمله " امروز سکوت همراهی با دستگاه جبار است" اعلامیه معروف خود را منتشر ساخت .

بعد از آن سال 42 مراسم عید نوروز را تحریم کرد و از طرف دیگر فاجعه مدرسه فیضیه قم با روشنگرهای امام یادآوری شد و بدین ترتیب پیمان های شاه و اسرائیل را محکوم کرد.

ماجرا به همین جا ختم نشد و امام خمینی بر طبل رسوایی رژیم پهلوی کوفت تا صدای گوش خراش آن آبروی حکومت را دستمایه پس لرزه ها کند، پس لرزه هایی که هر آن به زلزله هایی با ریشترهای بزرگ وعمیق تبدیل و نزدیک می شد.

ماه محرم آغاز مبارزه دیگرامام علیه رژیم پهلوی

امام خمینی در عاشورا 13 خرداد 42 در مدرسه فیضیه نطق تاریخی خود را ایراد کرد و انگشت تهدید به سمت شاه و روابطش با اسرائیل گرفت .

به موجب آن شاه فرمان خاموش کردن قیام را صادر کرد که دستگیری امام در شامگاه 14 خرداد از اقدامات عجولانه و نسنجیده شاه و درباریانش بود و این باعث شد تا در 18 فروردین امام را آزاد و به قم منتقل کنند.

از دیگر اقدامات زندگی سیاسی امام در 4 آبان سال 43 بود که طبق بیانیه ای عملکرد و حمایت های آمریکا را از اسرائیل محکوم و با افشاگری درباره تصویب لایحه کاپیتالاسیون زمینه قیام دوباره ای را فراهم کرد.

به اساس لایحه کاپیتالاسیون که برای تمام مستشاران نظامی مصونیت قضایی و سیاسی در حوزه خدمت نظامی ایجاد می‌کرد، در تاریخ ۱۴ مهر ۱۳۴۳ در مجلس شورای ملی به تصویب رسید.

اعتراضی که سرآغاز تبعید امام به خارج از کشور شد

افشاگرىامام خمينىعليه تصـويب لايحه كاپيتـولاسيون, ايران را در آبـان سـال 43 در آستـانه قيـامـى دوبـاره قرار داد .

در ادامه این اعتراضات سحرگاه 13 آبان 1343 حضرتامام خمينى بازداشت و به همراه نيروهاى امنيتى مستقيما به فرودگاه مهرآباد تهران اعزام و با يك فروند هـواپيماى نظامى كه از قبل آماده شده بـود, تحت الحفظ مامـوريـن امنيتى و نظامى به آنكارا پـرواز كـرد و دوباره در همان سال حضرت امام به همراه فرزنـدشان حاج آقا مصطفـى از تركيه به تبعيدگاه دوم, كشـور عراق اعزام شدند و بدین ترتیب تبعید 13 ساله امام خمینی آغاز شد .

امام خمينى در سال های تبعید بیکار نماند و سلسله درس هاى خارج فقه خـويـش را با همه مخالفت ها و كارشكنی هاى عناصـر مغرض در آبان 1344 در نجف آغاز كرد كه تا زمان هجـرت از عراق به پاريـس ادامه داشت و در همان سال ها نیز با ارسال نامه هایی ارتباط خود را با مردم و مبارزگران در ایران قطع نکرد.

همچنین تلاش و روشنگری های امام در نجف نیز باعث شد تا علاوه بر مبارزين بی شمار داخل كشـور مخاطبيـن زيادى در عراق, لبنان و ديگـر بلاد اسلامـى پیدا کند که بعدها نهضت ایشان الگویی برای بسیاری از مبارزین خارج از کشور شد .

اختلافات رژیم پهلوی و حزب رژيـم بعثـى عراق در سال 1350 موجب اخراج بسیاری از ايرانيان مقيـم عراق شد که امام در نامه ای به رئیس جمهور عراق به این موضوع اعتراض کرد.

در سال 54 شاه در اقدامی وقيحـانه تاريخ رسمـى كشـور را از مبدإ هجرت پيامبر اسلام به مبدإ سلطنت شاهان هخامنشى تغـيير داد که امام خمینی در اعتراضی به تحریم استفاده از آن تاریخ فتوا داد که رژیم مجبور به لغو تاریخ شاهنشاهی کند.

مرداد 1356 دعوت امام خمینی از طیف های مختلف ایران برای حضور در قیام

امام خمینی با توجه به تحـولات جارى جهان و ايـران طی پیامی از طیف های مختلف در داخل و خارج دعوت به قیام کرد و درنگ را دیگر جایز ندانست برای سکوت.

از طرفی شهادت حاج آقا مصطفى خمينى در اول آبان 1356 و برگزاری مراسـم پر شكـوهـى در ايراننقطه آغازى بـر خيزش دوباره حـوزه هاى علميه و قيام جامعه مذهبى ايران که منجر به به قيام 19 دى مـاه قـم در سـال 56 شـد كه طــــى آن شاه جمعى از طلاب انقلابـى را به خـاك و خـون كشيـد .

اخراج امام خمینی از عراق و هجرت ایشان به پاریس

در دیدار وزرای خارجی ایران و عراق تصمیم بر اخراج امام خمینی از کشور عراق شد که روز دوم مهر 1357 منزل امام در نجف بـوسيله قـواى بعثـى محاصره گرديـد که ايـن خبر خشـم گستـرده مسلمانان در ايران, عراق و ديگـر كشـورها را در پی داشت و در نهایت در روز 14 مهر ايشان وارد پاريس شدند .

در پاریس نیز با وجود مخالفت کاخ الیزه با فعالیت های ایشان امام همچنان به فعالیت های خود ادامه  داد و در جواب این عمل را خلاف دموکراسی عنوان کرد.

فرار شاه از ایران/ تبعید به سر رسید/ امام آمد

امام خمينى در دی ماه 57 شوراى انقلاب را تشکيل داد. شاه نيز پـس از تشكيل شـوراى سلطنت و اخذ رإى اعتماد بـراى كـابينه بختيار در روز 26 دی ماه از كشـور فـرار كرد. خبـر در شهر تهران و سپـس ايران پيچيد و مردم در خيابان ها به جشـن و پايكـوبى پرداختند .

اوایل بهمن سال 57 امام تصمیم خود برای بازگشت به ایران علنی کرد که با استقبال مردم روبرو شد و تلاش های دولت بختیار نیز نتوانست جلوی این تصمیم را بگیرد و سرانجام امام خمينـى بامداد 12 بهمـن 1357 پـس از 14 سال دورى از وطـن وارد كشـور شـد .

كمتر از دو ماه از پيروزى انقلاب نمـى گذشت كه 2 / 98 درصد راى دهندگان در رفرانـدوم 12 فروردين سال 58 در يكـى از آزادتـريـن انتخـابـات تـاريخ ايـران رإى به استقـرار نظام جمهورى اسلامـى دادند و متعاقب آن انتخابات پياپى براى تدويـن و تصـويب قانـون اساسـى و انتخاب نمايندگان مجلـس شـوراى اسلامـى برگزار گرديد .

امام خمينىپـس از پيروزى انقلاب در تاريخ دهـم اسفنـد 1357 از تهران به قـم آمده بود و تازمان ابتلا به بيمارى قلبى 2 بهمـن 1358 در ايـن شهر ساکن بود و بعد از 39 روز مداوا در منزلی در دربند ساکن و سپس بنا به تمايل خـود به منزلـى محقر متعلق به يكـى از روحـانيـون ( حجه الاسلام ) سيـد مهدى امــــام جمارانـى ) در محله جماران نقل مكـان كـرد و تـا زمـان رحلت در همين منزل ماند .

در انتخابات اوليـن دوره رياست جمهورى ايران 5 / 11 / 1358در حاليكهامام خمينـىدر بيمارستان قلب تهران بستـرى بـود , آقاى ابـو الحسـن بنى صدر از رقباى خـود پيشـى گرفت اما به دلیل اختللاف افکنی های بنی صدر و به مخاطره انداختن وحدت ملی توسط وی، سرانجام امام خمينىطـى حكمـى كـوتاه در 20 خرداد 1360 بنى صدر را از فرماندهى كل قوا عزل و متعاقب آن مجلـس شوراى اسلامى رإى به بى كفايتى وى داد .

بعد گذشت دو سال و سنگ اندازی های منافقان و چینش طرح های مختلف برای براندازی انقلاب اسلامی سرانجام عراق در روز 31 شهريـور 1359 تجـاوز گستـرده نظامى خـويـش را از شمالى تريـن نقطه مـرز مشتـرك با ايران تا بنـدر خـرمشهر و آبادان در جنـوب ايران آغاز كرد و که استارت جنگ 8 ساله زده شد.

فرمانامام خمينىمبنى بر بسيج عمومى و تشكيل ارتـش بيست ميليونى بـا استقبـال جـوانـان انقلابـى ايـران مـواجه و آمـوزش و اعزام بسيجيـان به جبهه هـا فضـاى ايـران را دگـرگـون سـاخته بــود . مـوفقيت هاى پياپـى رزمنـدگان سپـاه اسلام آثـار شكست را در جبهه بعثی ها نمايان ساخت .

دیری نگذشت که جمهورى اسلامى رسما از سـوى آمريكا و اروپا تحريـم تسليحاتى شد اما با این وجود صدای شکست استخوان های ترک برداشته خوان های حزب بعث به دست نیروهای جمهوری اسلامی موجب شد تا قطعنامه 598 شـوراى امنيت از تصويب بگذرد . ايـن قطعنامه قسمت عمـده نظرات و شرايط قبلـى ايران براى ترك نبـرد را كه از آغاز دفاع خـويـش بر آنها اصرار مـى ورزيد ولـى سازمان هاى بيـن المللـى به اميد پيروزى صدام زير بار نمى رفتند , پذيرفته بـود.

هر چند امام و بسیاری از یاران و مردم حاضر به قبول قطعنامه نبودند اما وجود برخی مسائل آن روز و آینده نگری های یاران و کارشناسان بر این شد تا قطعنامه را قبول کنند. همچنانکه تعبيـر امام خمينـى از پذيـرش قطعنامه به عنـوان جام زهـربود.

با دلى آرام و قلبـى مطمئن و روحى شاد به دیدار حق شتافت

امام خمینی سرانجام نيمه خـرداد سـال 1368 در حالی که در بستر بیماری بود خود را آماده دیدار معبود می کرد معبودی که جز بر خلاف رضای او قدمی بر نداشت چنانکه در وصیت نامه اش نیز عنوان کرده بود: با دلى آرام و قلبـى مطمئن و روحى شاد و ضميرى اميدوار به فضل خدا از خدمت خـواهران و برادران مرخص و به سـوى جايگاه ابــدى سفر مى كنـم و به دعاى خير شما احتياج مبرم دارم و از خداى رحمن و رحيـم مى خـواهـم كه عذرم را در كوتاهى خدمت و قصـور و تقصير بپذيـرد و از مـلت امـيدوارم كه عذرم را در كـوتاهى ها و قصـور و تقصيـرها بـپذيـرنـد و بـا قــدرت و تصميـم و اراده بــه پيش بروند.

سرانجام لحظه فراق با یار فرا رسید آرام آرام چشم های بسته بی سو شد و صدای قلب خسته رفته رفته بی صدا شد و ساعت 20 / 22  روز شنبه سيزدهـم خـرداد ماه سـال 1368 لحظه وصال بـود .

حال و هوای این روزهای خانه و کاشانه امام در خمین

اما این روزها هرچه به روزهای فوت ایشان نزدیک که می شویم خانه ساده و خشتی گلی امام راحل در خمین به مامنی برای عاشقان ولایت تبدیل شده و دوستداران انقلاب و ولایت در قالب کاروان های عشق از سراسر کشور در این خانه باصفا گرد هم آمده و ارادت قلبی خود را به پیر سفر کرده جماران بیان می کنند.

بوی یار از این خانه قدیمی با دالان های تو در تو مشام هر زائری را می نوازد و دلباختگان روح الله با حضور معنوی و عاطفی خود از این مکان تاریخی به دنیا ثابت می کنند گر چه امامشان در بین آن ها نیست اما راهش در میان عاشقان ادامه دارد.

این بیت تاریخی در آستانه بیست و هشتمین سالگرد عروج ملکوتی آن پیر سفر کرده با حضور جمعی از اقشار مختلف مردم غبارروبی و عطر افشانی شدو شهرستان خمین آماده برگزاری ویژه برنامه ارتحال حضرت امام خمینی (ره) در این ایام است .

این روزها آتش فقدان پدری دلسوز بر جگر ملتی عاشق شعله می کشد

بیت قدیمی حضرت امام میعادگاه عاشقان روح الله است عاشقانی که این روزها با پای دل برای تجدید میثاقی دوباره خود را به خمین می رسانند و مزارش هر ساله پر از پر می شود جای جای مرقدش میزبان مریدانش می شود مریدانی که حالا خود سنی رو گذرانده و خود هر کدام پدر و مادری شده اند و دست کودکان خود را گرفته و راهی این راه آشنا می شوند.

مرقد مطهر امام امسال هم میزبان میهمانانی از سراسر کشور ایران می شود، هر کس یا هر چه می تواند خود را برای حضور در روز وفات ایشان به مرقد می رساند و این بین هستند کسانی که پای پیاده را بهانه ای قرار می دهند تا وقتی برای بازگویی غصه دلشان با رهبر عزیزشان باشد .

پای صحبت های مردم کوچه و بازار خمین /ساده زیستی و توجه به محرومان مهترین شاخصه زندگی ایشان بود

نزدیک شدن به روز 14 خرداد و وفات امام خمینی بهانه ای شد تا به خمین سری بزنیم و پای صحبت های مردم دیار امام بنشینیم و از نزدیک با مردمی که با سجایای اخلاقی و اعتقادات دینی و مذهبی ایشان آشنا بودند یا بواسطه بزرگان خود امام را شناخته بودند به گفتگو بپردازیم.

به سراغ منصوری یکی از استادان دانشگاه آزاد و پیام نور خمین در خمین می رویم و از او درباره نگاه امام خمینی(ره) به آمریکا سوال می کنیم که این جواب را می شنویم: حضرت امام ماهیت استکباری آمریکا را دقیقا شناخته بود میدانست که آمریکا چهره ای دارد که پشت نقاب حقوق بشری به مردم جهان سوم خیانت می کند .امام نه تنها با آمریکا کنار نیامد بلکه تلاش کرد چهره فریبکار آمریکا را آشکار کند.

رجبیان نیز یکی دیگر از استادان دانشگاه  آزاد و پیام نور خمین است و درباره نظر امام خمینی درباره حضور و مشارکت مردم در مسائل کشور   اضافه می کند: امام نقش مردم را در همه امورات کشور محوری می دانست و با این شخصیت توانست تاثیر به سزایی در صحنه بین المللی بگذارد و با توجه به مقام و رتبه علمی و ویژگی های منحصر به فردی که داشت توانست توجه جهانیان را به خود جلب کند .

ویژگی فقاهت و ویژگی رهبری امام توانست ایشان را به جایگاهی برساند که همه مردم دنیا توجهشان جلب به ایشان شود.

 حجت الاسلام اصغری مسئول فرهنگی دانشگاه آزاد خمین نیز اضافه می کند: از ویژگی های برجسته امام نظم و انضباط در امور روزمره چه در زمینه مطالعه چه در کارهای سیاسی، اجتماعی که همه روی نظم و انضباط بودند.

همچنین به سراغ فرد دیگری که خود را رضایی و کارمند ارشاد خمین معرفی می کند می رویم که در تشریح امام می گوید: اسم امام راحل من را به یاد رهبر شجاع، مسمم با عزمی راسخ و یک زاهدی عابد می اندازد.امام هیچ وقت در تصمیمی که داشت تردید نکرد و هیچ وقت خانه کوچکی را که برای زندگی انتخاب کرده بود تغییر نداد.

مشایخی کاسب است و درباره شیوه زندگی امام می گوید: ساده زیستی ملاک مردم در مورد حاکمان است و امام با توجه به الگویی که از معصومین گرفته بود برجسته ترین مشخصه زندگی خود را ساده زیستی قرار داده بود ، امام در برخورد با خانواده مهربان بوده اند و از نظر الگوی اقتصادی از همه نظر ساده زیست بودند.

خانم شیخی عضو پایگاه بسیج خواهران اطهرخمین در صحبت های خود با اشاره به شناخت خود درباره امام اضافه می کند: من از سال 57 با امام(ره) اهداف ایشان آشنا شدم ،امام (ره)کفر ستیز و استکبار ستیز بود و برای مبارزه با استکبار جهانی انقلاب کرد. مهمترین ویژگی امام(ره) هم ساده زیستی ایشان بود و درجماران هم ساده زیستی را ادامه داد.عدالت جو بودند و به محرومان خیلی اهمیت می دادند.

و هر چقدر این صحبت ها را ادامه بدهیم خواهیم دید امام با رفتنش نه تنها از یاد ها و خاطره ها نرفته است بلکه به عمق قلب و جان رسوخ کرده و یادش بیشتر از قبل گرامی شده است.